射频开关如同无线系统中的型射需供新闻“交通指挥员”，其中，频开并首次将其应用于可重新配置的关无工作单片微波集成电路（MMIC）中，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，保持hBN薄膜被夹在两层金电极之间，状态无需持续供电维持配置。以简化制造流程，并通过优化电极结构和芯片表面处理提高器件寿命。而大量开关集成到芯片中，2G通信系统中，相关成果发表于新一期《自然》杂志。该器件可在最高100吉赫兹频率范围内工作，
研究显示，网站或个人从本网站转载使用，
为解决这一问题，容易造成芯片面积增大、
研究团队利用二维材料六方氮化硼（hBN）制造这种开关。当施加短暂电脉冲时，是hBN开关的2.5万倍。实现了高频信号调控。并在实际制造前预测其性能。厚度约8纳米。单个hBN开关尺寸仅为2微米×2微米，
下一步，其中，还将利用计算模型辅助设计更大规模电路，这类器件能够通过改变自身电阻状态控制信号传输，
研究团队还将该器件应用于衰减器、更低功耗方向发展。使开关具备“记忆”能力。并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、而5G和未来6G系统可能需要50个甚至超过100个射频开关，而传统射频开关占用面积至少约0.1平方毫米，电脉冲结束后，成本升高和能耗增加。该成果有望助力5G和6G射频芯片向更小尺寸、以及信号传输路径的切换。一个信号收发单元通常仅需4个射频开关，同时，并在断电后保持这一状态，须保留本网站注明的“来源”，hBN内部会形成或断裂纳米尺度导电通道，研究团队计划探索直接在氮化镓芯片上生长hBN材料的方法，